欢迎来到亿配芯城! | 免费注册
你的位置:NOVOSENSE(纳芯微)NSI数字隔离芯片全系列-亿配芯城 > 话题标签 > 使用

使用 相关话题

TOPIC

高通今天发声表示预计苹果新款 iPhone 将彻底不会采用该公司的基频芯片,尽管高通一直在为在售的苹果「老款」iPhone 供应芯片,但已经彻底失去了未来的新业务。 高通:未来iPhone将只使用英特尔的基频芯片 来自 CNBC 的报道称高通财务主管 George Davis 在今天的财报电话会议中如此评论。Davis 表示,高通认为「苹果打算在下一代 iPhone 中只采用(高通)竞争对手的基频芯片。而我们仍会为其老款设备提供芯片。」 高通:未来iPhone将只使用英特尔的基频芯片 在被问及
AD8350系列为高性能全差分放大器,适用于最高1000MHz的射频和中频电路。该放大器在250MHz时具有出色的5.9dB噪声系数。它在250MHz时提供+28dBm输出三阶交调截点(OIP3)。同时提供15dB和20dB的增益版本。 AD8350旨在满足通信收发器应用的高性能要求。具有出色的线性度和增强的共模抑制特性,可实现高动态范围差分信号链。这款器件可以用作通用增益模块、模数驱动器、高速数据接口驱动器以及其他功能元件。AD8350输入也可用作单端转差分电路。 该放大器的工作电压低至5V
AD8367是AD公司推出的新型VGA芯片,该芯片采用单端输入、单端输出方式,可在500MHz以下的任意频率下稳定工作。文中中国内存ic交易网介绍了AD8367的特点、工作原理及使用注意事项,并在此基础上给出了几种典型应用电路。 1主要特点 AD8367是AD公司推出的一款可变增益单端IF放大器,它使用AD公司先进的X-AMP结构,具有优异的增益控制特性。由于在片上集成了律方根检波器,因此,它也是全球首枚可以实现单片闭环AGC的VGA的芯片。该芯片带有可控制线性增益的高性能45dB可变增益放大
我们只知道晶振是一种频率元器件,而对于晶振有分基频晶振和泛音晶振的人可能少之又少。下面电子元器件线上商城带大家了解下什么是基频晶振,什么又是泛音晶振了,两种在电路中的使用有什么区别了。 晶振的振动就像弹簧;晶体的振动频率和石英晶体的面积、厚度、切割取向等有关。 越长的抖得越慢 越粗的抖得越慢 越软的抖得越慢 不过太短太细太硬的抖不起来。 晶振是机械振动,具有机械振动的特征:形状、几何尺寸、质量等,决定振动频率。 晶振普遍由石英材质或者陶瓷材质加上内部的芯片组合而成,而晶振的频率大小取决于芯片的
电容在电路设计中是一个基本又必不可少的部分,除了作为旁路,滤波,去耦或隔直等作用,在一些电路中也可以作为运算电路单元,完成信号的存储和传递。在集成电路设计中,电容的实现方式主要有MIM、PN结电容、Metal寄生电容和MOS电容等。 我们都知道零点和极点的相互作用对于一个系统的稳定性非常重要。对于一个amplifier来说,它俩直接决定了amplifier的UGF和PM等参数,如何进行补偿就非常考验模拟IC工程师的能力了。其中一个方法就是为系统引入一个特定频率的零点,从而去消除掉该频率点的一个
一、触摸屏操作原理 电阻触摸屏利用压力感应进行控制。电阻触摸屏的主要部分是一块与显示器表面非常配合的电阻薄膜屏,这是一种多层的复合薄膜,它以一层玻璃或硬塑料平板作为基层,表面涂有一层透明氧化金属(透明的导电电阻)导电层,上面再盖有一层外表面硬化处理、光滑防擦的塑料层,它的内表面也涂有一层涂层,在他们之间有许多细小的(小于1/1000英寸)的透明隔离点把两层导电层隔开绝缘。当手指触摸屏幕时,两层导电层在触摸点位置就有了接触,电阻发生变化,在X和Y两个方向上产生信号,然后送触摸屏控制器。控制器侦测
理论上只要是用晶振作为时基的单片机时间钟,在常温下做到日差1秒之内,甚至更精准是应该极易达成的。 只是许多人并不知道如何达成这个目标的方案。 而且市面很多带单片机的产品中,时间都做不准,这绝对是设计问题。例如:笔者车子上的时钟日差有10秒多。 一般大多数人所设计的定时器时常,是根据晶振标出的数据(如12M)计算而成的,固定不变,设计呆板。但普通晶振的实际振荡频率是不可能与标出的数据完全相同的,例如:12.00043M,11.99985……,这个误差必然积累,所以时钟就不准了。另外绝大多数设计也
温度传感器集成电路(IC)与负温度系数(NTC)热敏电阻(NTC)相比有很多优点。例如,温度传感器IC的线性响应比NTC电路的线性响应要大得多。图1将NTC所在电阻分压器的输出电压与LMT87模拟温度传感器的输出进行比较。另外,使用温度传感器IC设计更容易。使用NTC时要注意表象温度-电压曲线。使用LMT87温度传感器,只需参考华强北电子交易网数据表中的温度-电压方程或查找表即可。 例如,温度传感器IC的线性响应比NTC电路的线性响应要大得多。图1将NTC所在电阻分压器的输出电压与LMT87模
IBM 与三星晶圆厂签署协议,将使用三星的 7 纳米 EUVL 工艺制造它的下一代处理器,处理器将用于 IBM Power Systems、IBM z 和 LinuxONE Systems。IBM 此前的合作伙伴是 GlobalFoundries,在今年早些时候 GlobalFoundries 出人意料的宣布将放弃发展 7 纳米工艺。 这一决定影响到了它的长期合作伙伴 AMD 和 IBM,AMD 随后宣布将使用台积电的 7 纳米工艺制造它的下一代处理器,现在 IBM 宣布使用三星的 7 纳米工
与碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 可明显下降开关损耗和进步功率密度。这些特性关于数字电源转化器等高开关频率运用大有裨益,可协助减小磁性元件的尺度。 电力电子职业的规划人员需要选用新的技能和方法来进步GaN 体系的性能,在运用GaN 技能开发现代电源转化体系时,中国专业的电子元器件行业网站用C2000™实时微操控器 (MCU) 可协助应对各种规划应战。C2000实时MCU的长处C2000 MCU 等数字操控器具有超卓的适用性,合适各种杂