英飞凌计划投资50亿欧元在马来西亚建造全球最大8英寸SiC功
2024-02-068月7日消息，英飞凌，全球领先的功率半导体制造商，近日宣布了一项雄心勃勃的计划：在未来五年内投资高达50亿欧元，用于在马来西亚建造全球最大的8英寸SiC功率晶圆厂。这一举措凸显了英飞凌对SiC市场的信心，也反映了全球新能源汽车产业对SiC器件需求的增长。 随着全球新能源汽车市场的加速普及，对于更高功率密度的需求也在不断提升，这为SiC产业的落地提供了重要的契机。各国制定的电动车发展路线图中，对于功率密度的标准逼近了主流Si基器件的性能极限，此时，SiC器件成为了理想替代。 中信证券的分析师认为
意法半导体和英飞凌成为特斯拉最主要的SiC MOSFET逆变
2024-02-06特斯拉凭借Model 3、Model Y的热销，意法半导体和英飞凌成为了SiC装车的先锋，而随着比亚迪汉EV、蔚来ES6、理想L9等热门车型的陆续上市，SiC装车量得到进一步扩大。据不完全统计，截至2023年上半年，全球已有40款SiC车型进入量产交付，可查到交付数据的SiC车型上半年累计销售118.7万辆。 热门的SiC便吸引了欧洲芯片双雄意法半导体和英飞凌在其中押下重注。 SiC已为意法带来了源源不断的收入，2016年意法半导体营收不过69.44亿美元，到了2022年，总营收已经来到了16
英飞凌(infineon)半导体VS安森美
2024-02-06安森美半导体（Onsemi）是一家专注于半导体和电子设备的公司，成立于1999年，前身为安森美半导体和飞利浦半导体。该公司总部位于美国亚利桑那州，并在全球拥有多个研发中心和生产设施。 安森美半导体的产品广泛应用于各种领域，包括汽车、工业、航空航天和国防等。其产品线包括MOSFET、IGBT、模拟芯片、微控制器、传感器和功率晶体管等。该公司的产品以高质量、高可靠性和高性价比而闻名，并被广泛应用于各种应用中。 安森美半导体还致力于可持续发展和环保，其产品和生产过程都符合环保标准。此外，该公司还积极
英飞凌科技的技术创新和研发能力
2024-02-05标题：英飞凌科技的技术创新和研发能力：新兴技术领域的卓越进展 英飞凌科技，作为全球领先的半导体供应商之一，以其卓越的技术创新和研发能力，在众多领域取得了显著的成绩。特别是在新兴技术领域，英飞凌的研发实力更是得到了广泛认可。 首先，让我们关注到英飞凌在人工智能和机器学习技术方面的进步。随着人工智能和机器学习技术的日益成熟，英飞凌凭借其强大的芯片设计和制造能力，已经在这一领域取得了显著成果。通过开发高效能的神经处理芯片，英飞凌能够满足日益增长的计算需求，为自动驾驶、物联网、云计算等领域提供强大的技
英飞凌推出新一代XMC7000系列MCU微控芯片
2024-02-04XMC7000系列是英飞凌（Infineon）推出的32位MCU微控制器系列，包括多款处理器和内存控制器。这个系列的产品在工业、汽车、医疗、物联网等领域得到广泛应用。 XMC7000系列MCU有多个不同的处理器和内存控制器型号，包括XMC7000、XMC7000E、XMC7000H、XMC7000L、XMC7000M、XMC7000S、XMC7000V、XMC7000W等。这些处理器和内存控制器具有不同的性能和功能，适用于不同的应用场景。 下面是一些常见型号的简要介绍： XMC7000：这是一
英飞凌的650V、1200V多种特性的IGBT7产品全面上市
2024-02-01英飞凌的650V、1200V多种特性的IGBT7产品全面上市，将全面替代上一代产品。更好的特性和更大的电流规格，拓展了应用场景，频率范围和系统功率等级。 这些芯片是基于12英寸晶圆开发和生产的，生产基地在德国的德累斯顿和奥地利。 2022财年财报中宣布英飞凌德累斯顿的新厂投资，计划继续扩大其300毫米晶圆制造能力，以满足预期的模拟/混合信号和功率半导体加速增长的需求。该工厂计划总投资50亿欧元，是英飞凌历史上最大的单笔投资。因此，这也将增强英飞凌作为一家全球功率系统半导体领导企业的地位。
交通系统的电气化进程正在不断加快。除了乘用车外，两轮车、三轮车和轻型汽车也越来越多实现了电气化。因此，由24V-72V电压驱动的车用电子控制单元（ECU）市场预计将在未来几年持续增长。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）针对这一发展趋势，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封装的新半导体产品，进一步补充其OptiMOS™5系列60V至120V车用MOSFET产品组合。这些产品能以小巧外形提供出色的热性能与卓越的开关性能。 六款新产品具有较窄的栅极阈值电压（
英飞凌科技推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其TRENCHSTOP™ IGBT7产品阵容。全新器件配新一代发射极控制的EC7续流二极管，以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP™ IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术，具有出色的控制和性能，能够大幅降低损耗，提高效率和功率密度。因此，该半导体器件适合用于各种应用，如组串式逆变器、储能系统（ESS）、电动汽车充电应用以及如工业UPS和焊接等传统应用。 在分立式封装中，650 V TRENCHSTOP™
英飞凌XENSIV™杂散场稳健型线性TMR传感器，可实现工业和消费应用中的高精度长度测量
2024-01-31电子发烧友网MEMS/传感技术 英飞凌XENSIV™杂散场稳健型线性TMR传感器，可实现工业和消费应用中的高精度长度测量 TLI5590是一款低磁场传感器，采用了英飞凌专为大容量传感器系统开发的TMR技术。因此，该传感器具有超高灵敏度、低抖动和低功耗的特点。相比线性霍尔传感器，TMR传感器具有更好的线性度、更小的噪声和更低的滞后。其高信噪比和低功耗可实现电量消耗低的高性价比磁路设计。因此，这款新型传感器能够在方向快速变化的情况下进行精确检测。TLI5590由两个TMR惠斯通电桥组成，其中TMR
英飞凌与安克联合成立创新应用中心，携手发力PD快充领域并推动节能减碳
2024-01-31【2024年1月25日，德国慕尼黑和中国深圳讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX /OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其与全球充电技术领域的领导者安克创新(Anker Innovations) 在深圳联合成立创新应用中心。该创新应用中心全面投入运营之后，将为开发能够减少二氧化碳排放的高能效充电解决方案铺平道路，从而推动低碳化进程。 英飞凌及安克创新管理层、及相关项目负责人员参与揭幕仪式并剪彩 （参与仪式者从左至右依次为安克预研研发总监赵波、安克高级研发总监王晶，安克高级研发总监肖松，安